DigiTimes estimó esta semana que los chips de memoria flash para teléfonos inteligentes seguirán teniendo una gran demanda a lo largo de 2017 debido a que la escasez de suministros es "peor de lo esperado", ya que los fabricantes de chips actualmente están pasando de una tecnología NAND 2D más antigua a una tecnología 3D NAND más nueva..
Según un informe publicado el viernes en el periódico The Korea Herald, citando a los analistas de Mirae Asset Daewoo Securities, Toshiba puede abandonar su lucrativa unidad flash NAND y vender la participación a Western Digital, reduciendo la brecha tecnológica y de participación de mercado con su rival más grande Samsung Electronics.
"Si se confirma la escisión, se mejorará la condición financiera de la unidad de chips de Toshiba", dijo Do Hyun-woo, analista de Mirae Asset Daewoo Securities..
"Esto permitirá a la empresa asegurar una mayor capacidad de desarrollo y, por lo tanto, reducir la brecha tecnológica con Samsung".
Toshiba aparentemente perdió el liderazgo en la tecnología 3D NAND a la que actualmente están haciendo la transición los fabricantes rivales. Actualmente, la empresa está produciendo chips NAND 3D de 48 capas utilizando una estructura en forma de U y tecnología escalable de costo de bits. La producción en volumen de chips NAND 3D de 64 capas de Toshiba se espera para el primer semestre de este año..
Si la compañía se fusiona con Western Digital, sus acciones combinadas deberían exceder las de Samsung, que actualmente domina el mercado de flash 3D NAND y es el principal jugador en el mercado global de flash NAND con una participación del 36.6 por ciento.
Toshiba y Western Digital tienen un DRAMeXchange estimado en 19.8 por ciento y 17.1 por ciento de cada uno. Western Digital, Micron Technology y SK Hynix completan la lista de los cinco principales proveedores mundiales de chips flash NAND.
Además de Western Digital, otras compañías como SK Hynix también pueden mostrar interés en la inversión, predijo Do. El sitio de reparación iFixit ha encontrado componentes flash NAND fabricados por Toshiba en iPhone 7 y iPhone 7 Plus.
Los dos teléfonos inteligentes también usan flash NAND del antiguo proveedor de Apple SK Hynix. La memoria flash en las versiones de 128 gigabytes de los teléfonos es una pila de 16 troqueles de partes de 128 Gb con blindaje EMI, fabricada en tecnología de proceso de 15 nanómetros.
Imagen de desmontaje del iPhone 7 cortesía de iFixit.
Fuente: The Korea Herald
