El proveedor de Apple SK Hynix presentó chips de memoria flash 3D NAND de 72 capas y 256 gigabits (Gb) basados en conjuntos de celdas de triple nivel. Al apilar 1,5 veces más celdas que la tecnología anterior de 48 capas de la compañía, un solo chip flash NAND de 256 Gb puede representar 32 gigabytes de almacenamiento con una velocidad de operación interna dos veces más rápida y un rendimiento de lectura / escritura veinte por ciento más rápido que un chip NAND 3D de 48 capas.
El proveedor ha estado fabricando chips NAND 3D de 256 Gb de 48 capas desde noviembre de 2016. Sus chips 3D NAND 3D de 128 Gb de 36 capas anteriores se lanzaron en abril de 2016.
Sus chips más recientes logran aproximadamente un 30 por ciento más de productividad de fabricación al apilar más celdas y utilizar las instalaciones de producción en masa existentes. SK Hynix los producirá en volumen en la segunda mitad de este año.
Los chips flash NAND a bordo de los modelos iPhone 7 y iPhone 7 Plus son de origen dual de Toshiba y SK Hynix, con algunos modelos de iPhone 7 con los chips NAND 3D BiCS de 48 capas de Toshiba que nunca antes se habían visto en un producto comercial.
Otros modelos de iPhone 7 utilizan chips flash de SK Hynix.
Se ha descubierto que el rendimiento del almacenamiento flash del modelo iPhone 7 de 32 gigabytes es más lento que el de su versión de 128 gigabytes, con los primeros datos de lectura a 656 Mbps y el último a 856 Mbps. La diferencia es más pronunciada cuando se prueba el rendimiento de escritura: el iPhone 7 de 32 GB escribe datos en sus chips flash a unos 42 Mbps, mientras que su equivalente de 128 GB es ocho veces más rápido, a 341 Mbps.
La diferencia se atribuye a la tecnología 3D BiCS NAND de Toshiba utilizada en el modelo iPhone 7 de 128 GB. BiCS, o Bit Cost Scaling, almacena tres bits de datos por transistor y apila 48 capas NAND en un solo dado, brindando un rendimiento de lectura y escritura acelerado en comparación con la memoria 2D.
Los chips flash Toshiba y SK Hynix utilizados para la familia iPhone 7 están fabricados con tecnología de proceso de 15 nanómetros. Los modelos de iPhone 7 de 256 gigabytes utilizan una pila más delgada de ocho troqueles de troqueles de 256 gigabits frente a una pila de 16 trozos de partes de flash NAND de 128 gigabits.
SK Hynix se encuentra entre los postores para la lucrativa unidad de chip flash de Toshiba.
Fuente: DigiTimes
