Samsung Electronics, el brazo de construcción de componentes del chaebol de Corea del Sur, presentó el martes el primer chip DRAM LPDDR5 de 8 gigabits de la industria para dispositivos móviles.
La tecnología premium LPDDR5 de 8 Gb es un gran paso adelante para las soluciones de memoria móvil de baja potencia donde el consumo de energía y la velocidad son de suma importancia.
Cuenta con una velocidad de datos de hasta 6.400 megabits por segundo, o 1.5 veces más rápido que las DRAM LPDDR4 móviles comúnmente utilizadas en los teléfonos inteligentes insignia actuales, como el iPhone X. Como una ilustración de la mayor velocidad de transferencia del chip, puede enviar 51.2 gigabytes de datos por segundo, o aproximadamente 14 archivos de video full-HD (3.7GB cada uno).
El nuevo paquete LPDDR5 consta de ocho chips LPDDR5 de 8 Gb.
Para maximizar el ahorro de energía, el chip reduce automáticamente su voltaje de acuerdo con la velocidad de funcionamiento de la CPU principal cuando está en modo activo. También se ha configurado para evitar sobrescribir celdas con valores '0' y ofrece un modo de suspensión profunda que reduce el consumo de energía a aproximadamente la mitad del modo inactivo de la DRAM LPDDR4 actual.
Samsung trajo el primer LPDDR4 de 8 Gb a producción en masa en 2014.
El conglomerado surcoreano planea iniciar la producción en masa de sus líneas DRAM de próxima generación "en línea con las demandas de los clientes globales" en su planta en Pyeongtaek, Corea.
AnandTech tiene más información técnica sobre el chip..
Apple actualmente obtiene DRAM para dispositivos iOS de múltiples proveedores, incluidos Micron, Toshiba, Samsung y SK Hynix. Si bien no hay indicios de que Apple incorporará el nuevo chip de Samsung en un iPhone futuro, la marcha de la tecnología puede requerir el uso de DRAM más rápido ya que los iPhones continúan aumentando su resolución de pantalla y obtienen cámaras adicionales, lo que requiere más memoria para procesar datos.
